一般把反应物是气态而生成物之一的固态的反应称为CVD反应,CVD技术原理是建立在化学反应基础上的

。

　　目前常用的CVD沉积反应一般有以下几种原理。

　　1、热分解反应

　　2
、氢还原反应

　　3

、置换或合成反应

　　4、化学输运反应

　　5、固相扩散反应

　　CVD技术的优点主要包括以下几个方面


：

　　1、应用范围广

　　2
、成膜速度快

　　3、工作是在低真空条件下进行的，因此镀膜的绕射性好


，在形状复杂
，如有深孔，细孔的工件上都能均匀镀膜。

　　4

、由于反应气体
、反应产物和基片的相互扩散
，可以得到附着强度好的镀膜

，这对于制备耐磨

、抗腐蚀等表面强化膜是很重要的。

　　5
、由于薄膜生长的温度比膜材的熔点低得多
，因此能得到高纯度
、结晶完全的膜层
，这是某些半导体用镀层所必需的。膜层纯度高

，结晶完全是由于低温生长，反应气体和反应器壁以及其中所含不纯物几乎不发生反应，对膜层玷污少等原因所致。

　　6、CVD可以获得平滑的沉积表面
。在沉积过程中成核率高，成核密度大

，在整个平面上分布均匀
，从而可产生宏观平滑的表面。

　　7
、辐射损伤低

，这是制造MOS(金属氧化物半导体)等器件不可缺少的条件。

　　CVD技术的一些缺点主要有





：

　　1
、有时参加沉积的反应物及反应后的气体易燃
、易爆、有毒或具有腐蚀性

，因此需要采取预防措施。2、欲对基材 局部或某个表面沉积薄膜很困难

，3

、反应温度高
，一般为1000摄氏度左右




。

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