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    真空离子镀膜技术分析
    发布时间 :2014-09-11 浏览 :4392 次

      真空离子镀膜技术(简称离子镀)是由美国Sandin公司的D.M.Mottox开发的将真空蒸发和真空溅射相结合的一种新镀膜技术 。

      离子镀技术的一个重要特征是在基片上施加负偏压,用来加速离子 ,增加调节能量。

      负偏压的供电方式 ,除传统的可调直流偏压外 ,近年来,又引入了高频脉冲偏压技术。脉冲的频率 、幅值  、占空比可调 ,有单极脉冲,也有双极脉冲。

      这样可使偏压和基片温度参数分别控制 。

      在基体上施加偏压,可产生更大的电场力     ,使等离子体中部分正离子加速到达基片上轰击和沉积   。

      即利用气体放电产生等离子体,通过碰撞电离  ,除部分工作气体电离外,使膜材原子也部分电离  ,同时在基片上加负偏压,可对工作气体和膜材的电离离子加速增加能量,且吸引它们到达基片;一边轰击基片 ,一边沉积 ,这对膜的品质、性能均有较大改善      。这是离子镀技术最突出的特点。

      离子镀与蒸发镀  、溅射镀的本质区别是前者在基片上施加负偏压 ,后者在基片上未加负偏压 。

      因此,在前面讲述过的各种蒸发镀 、溅射镀技术中 ,若能在基片(导电基材)上施加一定幅值的直流或脉冲负偏压 ,便可使其变成蒸发离子镀、溅射离子镀,统称离子镀  。

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